Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Серия продукции: Force MP600 Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем: 500 ГБ Тип памяти: 3D NAND TLC Внешняя скорость передачи данных, до: 7880 МБ/с Максимальная скорость чтения: 4950 МБ/с Максимальная скорость записи: 2500 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 420 kIOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 550 kIOPS Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1700 тыс. час. Суммарное число записываемых Байт (TBF): 850 ТБ Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Энергопотребление при работе: 6.3 Вт Ширина: 22 мм Высота: 15 мм Глубина: 80 мм Особенности: Предустановленный радиатор. Поддержка шифрования AES 256-bit. Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.corsair.com/eu/en/Categories/Products/Storage/M-2-SSDs/Force-Series%E2%84%A2-Gen-4-PCIe-NVMe-M-2-SSD/p/CSSD-F500GBMP600#tab-tech-specs Комплект поставки: Накопитель, руководство пользователя

Тип интерфейса: USB Версия USB: USB 3.2 Gen2 Вид устройства: Внешний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: 1.8" Номинальный объем: 500 ГБ Объем после форматирования: 470.4 GiB Тип памяти: 3D NAND TLC Контроллер: Samsung MGX Внешняя скорость передачи данных, до: 1200 МБ/с Максимальная скорость чтения: 1050 МБ/с Максимальная скорость записи: 1000 МБ/с Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Энергопотребление при работе: 4.5 Вт Ширина: 57 мм Высота: 8 мм Глубина: 85 мм Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/portable-ssd/portable-ssd-t7-2tb-blue-mu-pc2t0h-ww/

Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем: 2000 ГБ Объем после форматирования: 1882 GiB Тип памяти: 3D NAND QLC Внешняя скорость передачи данных, до: 7880 МБ/с Максимальная скорость чтения: 4950 МБ/с Максимальная скорость записи: 3700 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 380 kIOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 580 kIOPS Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1700 тыс. час. Суммарное число записываемых Байт (TBF): 450 ТБ Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Энергопотребление при работе: 6.5 Вт Ширина: 22 мм Высота: 15 мм Глубина: 100 мм Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.corsair.com/ru/ru/%D0%9A%D0%B0%D1%82%D0%B5%D0%B3%D0%BE%D1%80%D0%B8%D0%B8/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B4%D1%83%D0%BA%D1%82%D1%8B/%D0%A3%D1%81%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%B9%D1%81%D1%82%D0%B2%D0%B0-%D1%85%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F/%D0%A2%D0%B2%D0%B5%D1%80%D0%B4%D0%BE%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B5-%D0%BD%D0%B0%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D0%B8%C2%A0M-2/Force-Series%E2%84%A2-Gen-4-PCIe-NVMe-M-2-SSD/p/CSSD-F1000GBMP600#tab-tech-specs